半導体微少電流判定方法および手段、半導体メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：前田弘 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-007239
公開番号（公開出願番号）：特開2008-176830
出願日： 2007年01月16日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：

【課題】微細化された大容量のフラッシュメモリやEEPROMなどの不揮発性メモリにおけるビット線リーク電流判定に関しては、ビット線を選択的に外部パッドに直接引き出しテスト装置の電流測定オプションで測定しており、測定一回あたり数msから数10msと比較的低速であるため、メモリアレイを構成する数千本のビット線のすべてを測定するには数10秒程度のテスト時間が必要となり、テストコストに多大なる影響を与えている。【解決手段】判定電流と被測定電流の大小関係を比較する半導体微少電流判定手段において、被測定電流の導通、または非導通を制御するスイッチ手段と、判定電流を発生する電流発生手段と、被測定電流の値が判定電流の値よりも大きい場合に被測定電流と判定電流の差電流と取り出す手段と、差電流を電圧に変換する電圧変換手段と、電圧変換手段の出力電圧を用いて判定電流と被測定電流の大小関係を判定する判定手段とを少なくとも備える。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

判定電流と被測定電流の大小関係を比較する半導体微少電流判定方法において、被測定電流の導通、または非導通を制御するステップ(a)と、判定電流を発生するステップ(b)と、前記被測定電流の値が前記判定電流の値よりも大きい場合に前記被測定電流と判定電流との差電流を取り出すステップ(c)と、前記差電流を検知して前記被測定電流の値と前記判定電流の値との大小関係を判定するステップ(d)とを備える、ことを特徴とする半導体微少電流判定方法。

IPC (3件)：

G11C 29/04 , G11C 16/02 , G01R 31/28

FI (4件)：

G11C29/00 673K , G11C17/00 601Z , G01R31/28 B , G01R31/28 V

Fターム (21件)：

2G132AA09 , 2G132AC03 , 2G132AD01 , 2G132AE14 , 2G132AH02 , 2G132AK07 , 2G132AK09 , 2G132AK13 , 2G132AL09 , 2G132AL11 , 5B125BA01 , 5B125CA01 , 5B125DE07 , 5B125ED06 , 5B125EJ02 , 5B125EK10 , 5B125FA02 , 5L106AA10 , 5L106EE05 , 5L106FF04 , 5L106FF05

引用特許：

出願人引用 (5件)

フラッシュメモリの消去あるいは書き込み制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-035009 出願人：松下電子工業株式会社
米国特許第6,201,747号明細書
米国特許第6,370,061号明細書

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