特許
J-GLOBAL ID：200903095505227332

処理装置及び処理方法

発明者：
岩下 光秋

岩下 光秋 について

, 
小西 信夫

小西 信夫 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (3件)： 金本 哲男 ,  亀谷 美明 ,  萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-190174
公開番号（公開出願番号）：特開2004-096086
出願日： 2003年07月02日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】後処理の研磨処理時の上層膜の剥離を防止する。【解決手段】塗布処理装置内に,略コ字形状の膜除去部材80を設ける。膜除去部材80の内側の天井面には,プラズマ放射部84を設け,側面には,吸引口85を設ける。そして,表面に塗布膜の形成されたウェハWの外周部が,膜除去部材80の内側に挿入され,ウェハWが回転される。ウェハW上の外周膜Rの端部にプラズマが放射され,これにと同時に吸引口85からの吸引が行われる。放射されたプラズマは,吸引口85側に流れながら外周膜Rの端部に接触し,当該端部が浸食されていく。こうして,外周膜Rの端部に傾斜部Kが形成される。この結果,後に上層膜であるハードマスク等が形成され,その後に研磨用パッドにより外周膜Rの端部に荷重が掛けられても,当該端部に集中荷重が掛からないので,ハードマスクが剥離することがない。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
表面に膜の形成された基板を処理する処理装置であって, 基板の外周部の所定部分の膜を選択的に除去する膜除去部材を備え, 前記膜除去部材は, 前記所定部分の膜に対し,反応性ガスのプラズマを供給するプラズマ供給部と, 前記所定部分付近の雰囲気を吸引する吸引口と,を有することを特徴とする,処理装置。
IPC (4件)：
H01L21/3065 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31
FI (7件)：
H01L21/302 101E ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/304 645C ,  H01L21/304 645D ,  H01L21/304 645Z ,  H01L21/31 A ,  H01L21/30 564C
Fターム (21件)：
5F004AA14 ,  5F004BA03 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB03 ,  5F004BB18 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004BD01 ,  5F004BD07 ,  5F004DA26 ,  5F004DB23 ,  5F004EA34 ,  5F004EA38 ,  5F004EB08 ,  5F045AB31 ,  5F045AB39 ,  5F045EB19 ,  5F045EF01 ,  5F045EH18 ,  5F046JA16
引用特許：
審査官引用 (3件)

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