特許

J-GLOBAL ID：200903095552093395

二層誘電体膜構造を有した半導体素子のコンデンサ及びその製造方法

発明者： 李 起 正 ,  洪 炳 渉
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-379712
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318285
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】 本発明は二層誘電体膜構造を有した半導体素子のコンデンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は半導体基板上に下部電極を形成する段階と、前記下部電極上にSi3N4薄膜とTa2O5薄膜の二層誘電体膜で構成された誘電体膜を形成する段階と、及び前記誘電体膜上に上部電極を形成する段階を含んで構成される一方、本発明の二層誘電体膜構造を有した半導体素子のコンデンサは、半導体基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成され、Si3N4薄膜とTa2O5薄膜の二層誘電体膜で構成された誘電体膜と、及び前記誘電体膜上に形成された上部電極を含んで構成されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に下部電極を形成する段階と、前記下部電極上にクロライドフリーのSi3N4薄膜とTa2O5薄膜の二層誘電体膜で構成された誘電体膜を形成する段階と、前記誘電体膜上に上部電極を形成する段階を含んで構成されることを特徴とする二層誘電体膜構造を有した半導体素子のコンデンサ製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/108

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 M ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 651

Fターム (17件)：

5F058BA11 ,  5F058BD01 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD24 ,  5F083AD62 ,  5F083JA03 ,  5F083JA06 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR16 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 拡張キャパシタを形成するための統合方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-290845   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-046140   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-037120   出願人：株式会社日立国際電気