特許
J-GLOBAL ID:200903095558901787

光電変換素子及びその製造方法、並びに光センサ及び太陽電池

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 逢坂 宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-267509
公開番号(公開出願番号):特開2004-103521
出願日: 2002年09月13日
公開日(公表日): 2004年04月02日
要約:
【課題】新しい構成を有する光電変換素子とその製造方法、並びにその光電変換素子を用いた光センサ及び太陽電池を提供すること。【解決手段】電子供与体として働く光吸収性のデンドリマー構造体1と、電子受容体として働く金属微粒子2との集合体からなる光電変換層を両者に化学的親和性をもたせることで、自己集合的に形成させる。光吸収性の物質がデンドリマー構造を有するため、光吸収によって励起された電子が分子鎖を介して長距離の電子移動を起こし、電子受容体として働く金属微粒子2にまで到達できる。電子は、金属微粒子同士又は/及び前記金属微粒子と電極との接触を通じて、すみやかに外部へ電流として導き出される。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
電子供与体として働く光吸収性のデンドリマー構造体と、電子受容体として働く金属微粒子との集合体からなる光電変換層を有する光電変換素子。
IPC (5件):
H01M14/00 ,  C09K3/00 ,  H01L31/04 ,  H01L31/08 ,  H01L51/10
FI (4件):
H01M14/00 P ,  C09K3/00 C ,  H01L31/04 D ,  H01L31/08 T
Fターム (21件):
5F051AA11 ,  5F051AA14 ,  5F051AA20 ,  5F051CB11 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5F088AA11 ,  5F088AB11 ,  5F088CB20 ,  5F088DA05 ,  5F088DA17 ,  5F088FA05 ,  5F088GA02 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC16 ,  5H032EE01 ,  5H032EE04 ,  5H032EE16 ,  5H032HH04
引用特許:
審査官引用 (7件)
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