特許
J-GLOBAL ID：200903095635188924

固体撮像装置の製造方法

発明者：
下薗 孝之

下薗 孝之 について

, 
滝澤 律夫

滝澤 律夫 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-153012
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353434
出願日： 2001年05月22日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：
【要約】【課題】埋込ゲッターシンク層のゲッタリング能力を有効に発揮させ、固体撮像装置の暗電流に起因した白傷欠陥を低減する。【解決手段】半導体基板10を構成する第1の元素(Si)と同族の第2の元素(たとえば、C)を該半導体基板に導入して埋込ゲッターシンク層12を形成し、半導体基板の表面10aに第1の元素を結晶成長させて結晶成長層13を形成し、半導体基板の裏面に第1の元素と異なる族の第3の元素を導入して外部ゲッターシンク層を形成する場合より低い温度にて、結晶成長層13内およびその上層に固体撮像素子を形成する。あるいは、塩酸を含むガス雰囲気中の酸化により結晶成長層の表面上に外部ゲッターシンク層を形成する場合より低い温度にて、上記固体撮像素子を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板を構成する第1の元素と同族の第2の元素を該半導体基板に導入して埋込ゲッターシンク層を形成し、上記半導体基板の表面に第1の元素を結晶成長させて結晶成長層を形成し、上記半導体基板の裏面に上記第1の元素と異なる族の第3の元素を導入して外部ゲッターシンク層を形成する場合より低い温度にて、上記結晶成長層内およびその上層に固体撮像素子を形成する固体撮像装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/148 ,  H01L 21/322
FI (2件)：
H01L 21/322 G ,  H01L 27/14 B
Fターム (23件)：
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA12 ,  4M118BA13 ,  4M118CA04 ,  4M118DA03 ,  4M118DA28 ,  4M118DB06 ,  4M118DB08 ,  4M118DD03 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA08 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118FA45 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11
引用特許：
審査官引用 (5件)
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