特許
J-GLOBAL ID：200903095662794020

ダイシング・ダイボンド兼用シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法

発明者：
山崎 修

山崎 修 について

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篠田 智則

篠田 智則 について

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古館 正啓

古館 正啓 について


出願人/特許権者：
リンテック株式会社

リンテック株式会社 について


代理人 (4件)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  高畑 ちより ,  鈴木 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-237411
公開番号（公開出願番号）：特開2007-053240
出願日： 2005年08月18日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：
【課題】半導体ウエハに容易に貼付でき、ボンディングワイヤの損傷を低減するとともに、半導体チップ同士を接着する接着剤層の厚みの精度不良に起因する半導体装置の高さのバラツキ、基板から最上層の半導体チップの表面までの高さのバラツキ、および最上層の半導体チップの傾き等を低減できるダイシング・ダイボンド兼用シートを提供する。【解決手段】ダイシング・ダイボンド兼用シート10は、基材11と、該基材上に剥離可能に積層されたワイヤ埋込層12と、該ワイヤ埋込層上に積層された絶縁層13とからなり、 該ワイヤ埋込層12の120°Cにおける貯蔵弾性率が1×104Pa以下であり、該絶縁層13が、60°C以下の温度で被着体2に貼付可能な粘着性を有し、120°Cにおける絶縁層13とワイヤ埋込層12の弾性率比(絶縁層/ワイヤ埋込層)が10以上であり、ワイヤ埋込層12および絶縁層13の体積抵抗率がともに1×1013Ω・cm以上である。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基材と、該基材上に剥離可能に積層されたワイヤ埋込層と、該ワイヤ埋込層上に積層された絶縁層とからなり、 該ワイヤ埋込層の120°Cにおける貯蔵弾性率が1×104Pa以下であり、 該絶縁層が、60°C以下の温度で被着体に貼付可能な粘着性を有し、 120°Cにおける絶縁層とワイヤ埋込層の弾性率比(絶縁層/ワイヤ埋込層)が10以上であり、 ワイヤ埋込層および絶縁層の体積抵抗率がともに1×1013Ω・cm以上であるダイシング・ダイボンド兼用シート。
IPC (7件)：
H01L 21/301 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  C09J 7/02 ,  C09J 201/00 ,  H01L 21/52
FI (5件)：
H01L21/78 M ,  H01L25/08 Z ,  C09J7/02 Z ,  C09J201/00 ,  H01L21/52 E
Fターム (47件)：
4J004AA01 ,  4J004AA10 ,  4J004AA11 ,  4J004AA12 ,  4J004AA13 ,  4J004AA15 ,  4J004AB01 ,  4J004AB05 ,  4J004AB06 ,  4J004CA03 ,  4J004CA04 ,  4J004CA05 ,  4J004CA06 ,  4J004CC03 ,  4J004CC04 ,  4J004DA03 ,  4J004FA05 ,  4J004FA08 ,  4J040DF031 ,  4J040DF032 ,  4J040EB031 ,  4J040EB032 ,  4J040EB131 ,  4J040EB132 ,  4J040EC001 ,  4J040EC002 ,  4J040EC061 ,  4J040EC062 ,  4J040EC071 ,  4J040EC072 ,  4J040FA141 ,  4J040FA142 ,  4J040FA151 ,  4J040FA152 ,  4J040FA161 ,  4J040FA162 ,  4J040FA261 ,  4J040FA262 ,  4J040JA09 ,  4J040JB02 ,  4J040JB07 ,  4J040JB09 ,  4J040NA20 ,  4J040PA23 ,  5F047BA21 ,  5F047BB03 ,  5F047BB19
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-179607   出願人：住友金属鉱山株式会社, エヌチップインコーポレイテッド
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-016420   出願人：シャープ株式会社
審査官引用 (1件)

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