シリコン-ゲルマニウム・トランジスタおよび関連方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡部正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-246577
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094106
出願日： 2000年08月16日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】高速のシリコン-ゲルニウム、トランジスタのために安定なゲート絶縁物層を形成する。。【解決手段】シリコン基板40上にシリコン-ゲルマニウムのエピタキシャル層を積層した2層の基板のチャネル領域46上にイオン注入用マスキング層を形成してドーパントを注入し、チャネル領域46に隣接していて分離されているソース48およびドレイン50の領域を画定する。イオン注入の後、チャネル領域46を露出させソース48、ドレイン50領域をマスクしてシリコン保護層58又ゲート酸化物層60とからなるゲート絶縁物層を形成しマスクを除去して、ゲート64を形成する。

請求項（抜粋）：

トランジスタを作るための方法であって、シリコン-ゲルマニウムのエピタキシャル層を含んでいるシリコン基板を用意するステップと、前記シリコン-ゲルマニウムのエピタキシャル層のチャネル領域上にイオン注入用マスキング層を形成するステップと、前記チャネル領域に隣接していて分離されているソースおよびドレインの領域を画定するために、イオン注入用マスキング層を使ってシリコン-ゲルマニウムのエピタキシャル層の中にドーパントをイオン注入するステップと、前記チャネル領域を露出させるために前記イオン注入の後、前記イオン注入用マスキング層を取り除くステップと、前記露出されたチャネル領域上にシリコンのエピタキシャル層を形成するステップと、前記トランジスタのためのゲート絶縁物層を画定するために前記シリコンのエピタキシャル層の少なくとも一部分を酸化物シリコンに変換するステップと、前記ゲート絶縁物層上に導電性のゲートを形成するステップとを含む方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/316 A , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

MOSFET及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-082610 出願人：沖電気工業株式会社
特開昭63-262874
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-027208 出願人：株式会社東芝

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