特許
J-GLOBAL ID：200903095753507686
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-141965
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331988
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】シリコンを含む材料の膜のエッチング時のパーティクルの発生を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】シリコンを含む材料の膜の有機材料によって被覆されていない領域を、概略除去されて下地の酸化膜表面が露出するまでプラズマエッチングするメインエッチングと、酸化膜が露出された表面をさらにプラズマエッチングするオーバーエッチングとを各々異なる別々のチャンバー内で行うことにより、上記課題を解決する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され、その表面が部分的に有機材料によって覆われた、シリコンを含む材料の膜を1層以上含む膜の、該有機材料で覆われていない部分の該シリコンを含む材料の膜を、塩素を含むガスおよび臭素を含むガスの少なくとも一方と酸化性ガスとを含む第1のガス雰囲気を利用したプラズマエッチングで、概略除去するまでエッチングするメインエッチングを行った後、水素を含むガスと酸化性ガスとを含む第2のガス雰囲気を利用したプラズマエッチングで、オーバーエッチングを行う半導体装置の製造方法であって、前記メインエッチングと前記オーバーエッチングとを別個のエッチング室内で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (33件)：
5F004AA14
, 5F004AA15
, 5F004AA16
, 5F004BA04
, 5F004BA08
, 5F004BA14
, 5F004BA20
, 5F004BB11
, 5F004BB13
, 5F004BB14
, 5F004DA00
, 5F004DA04
, 5F004DA05
, 5F004DA06
, 5F004DA07
, 5F004DA08
, 5F004DA09
, 5F004DA10
, 5F004DA11
, 5F004DA12
, 5F004DA13
, 5F004DA14
, 5F004DA21
, 5F004DA26
, 5F004DA27
, 5F004DA28
, 5F004DA29
, 5F004DB02
, 5F004DB03
, 5F004DB17
, 5F004EA03
, 5F004EA22
, 5F004EB02
