特許
J-GLOBAL ID：200903095763370956
電子部品の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-234782
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079618
出願日： 2002年08月12日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
【課題】内部電極と外部電極の接合部分(該接合部分とセラミック層の隙間など)からの水分の浸入を防止することが可能で、信頼性の高い電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】セラミック素子1の内部電極2が引き出された端面1a,1bを含む領域に導電ペーストを塗布し、熱処理温度、熱処理雰囲気中の酸素濃度、及び、熱処理時間を所定の条件に制御して熱処理(一次熱処理)を行い、導電ペーストを焼き付けた後、セラミック素子1を常温に戻した後、セラミック素子1を、一次熱処理工程における熱処理温度及び酸素濃度よりも低い熱処理温度及び酸素濃度で、かつ、一次熱処理工程における熱処理時間よりも長い時間熱処理を行うことにより、内部電極2と外部電極4の接合部分に内部電極2を構成する金属を多く析出させて、水分に対するシール性を向上させる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
セラミック素子中に配設された内部電極がセラミック素子の端面に引き出され、該端面に配設された外部電極に接続された構造を有する電子部品の製造方法であって、
前記セラミック素子の内部電極が引き出された端面を含む領域に、導電ペーストを塗布し、(a)熱処理温度、(b)熱処理雰囲気中の酸素濃度、及び、(c)熱処理時間を所定の条件に制御して熱処理を行うことにより、導電ペーストを焼き付ける一次熱処理工程と、
前記一次熱処理が行われた前記セラミック素子を常温に戻す工程と、
前記セラミック素子を、
(a’)前記一次熱処理工程における熱処理温度よりも低い熱処理温度、
(b’)前記一次熱処理工程における熱処理雰囲気中の酸素濃度よりも低い酸素濃度、及び
(c’)前記一次熱処理工程における熱処理時間よりも長い熱処理時間
の各条件を満たす熱処理条件下で熱処理する二次熱処理工程と
を具備することを特徴とする電子部品の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01G4/30 311E
, H01G4/12 361
5E001AB03
, 5E001AC09
, 5E001AF06
, 5E001AH01
, 5E001AH06
, 5E001AH09
, 5E001AJ01
, 5E001AJ03
, 5E082AA01
, 5E082AB03
, 5E082BB07
, 5E082BC14
, 5E082MM07
, 5E082MM22
, 5E082MM24
