特許

J-GLOBAL ID：200903095805713301

誘電体素子および誘電体素子の製造方法

発明者： 本間 運也 ,  松下 重治
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-234562
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079607
出願日： 2002年08月12日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】良好な特性を有する誘電体素子を提供する。【解決手段】この誘電体素子は、表面4aに位置するPt(白金原子)がF(フッ素原子)により終端された下部電極4と、下部電極4のF(フッ素原子)により終端された表面4a上に形成された強誘電体膜5とを備えている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

表面に位置する構成原子がハロゲン原子により終端された電極層と、 前記電極層の前記ハロゲン原子により終端された表面上に形成された誘電体膜とを備えた、誘電体素子。

IPC (3件)：

H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/105

FI (2件)：

H01L27/04 C ,  H01L27/10 444C

Fターム (9件)：

5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F083FR01 ,  5F083GA29 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-252448   出願人：株式会社東芝
• 貴金属酸化物の製法および貴金属酸化物から形成される構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-298381   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 薄膜キャパシタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-058106   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-016829   出願人：松下電子工業株式会社