特許
J-GLOBAL ID:200903095823109381

制御された半田厚さを有するスパッタ・ターゲット・アセンブリ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件): 特許業務法人浅村特許事務所 ,  浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  田中 正 ,  森 徹 ,  吉田 裕 ,  白江 克則 ,  金井 建
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-518350
公開番号(公開出願番号):特表2009-542910
出願日: 2007年07月03日
公開日(公表日): 2009年12月03日
要約:
本発明は、制御された半田厚さを有するスパッタ・ターゲット・アセンブリを形成する方法、及び装置に関する。特に、この方法は、バッキング・プレート16とスパッタ・ターゲット10との間に接合箔20を導入することを含み、接合箔20は、発熱反応を伝播する発火性の異種層状構造体である。
請求項(抜粋):
スパッタ・ターゲット・アセンブリを形成する方法であって、 上面を有するバッキング・プレートを設け、前記上面を半田層でプリウェットするステップと、 底面を有するスパッタ・ターゲットを設け、前記底面を半田層でプリウェットするステップと、 前記バッキング・プレートと前記スパッタ・ターゲットとの間に、発熱反応を伝播する発火性の異種層状構造体である接合箔を導入するステップと、 前記バッキング・プレート及び前記スパッタ・ターゲットを一緒に押圧し、それらの間で、前記接合箔を着火し、前記スパッタ・ターゲット・アセンブリを形成する際に前記スパッタ・ターゲットの微細構造又は平面度に影響を及ぼすことなく、前記バッキング・プレートの前記半田層を前記スパッタ・ターゲットの前記半田層と共に溶融しかつ接合させるステップと を含む、方法。
IPC (1件):
C23C 14/34
FI (1件):
C23C14/34 C
Fターム (9件):
4K029BA12 ,  4K029BA25 ,  4K029BC06 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC04 ,  4K029DC22 ,  4K029DC24 ,  4K029DC34
引用特許:
審査官引用 (4件)
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