ワイヤ・ボンディングの技術に基づくボール・グリッド・アレイの下に浅い空洞を持つパッケージ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井ノ口壽
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-513180
公開番号（公開出願番号）：特表平9-507344
出願日： 1994年10月17日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】高度なボール・グリッド・アレイであって、ボール・グリッド・アレイはくぼみで作られた中央の空洞を持っている本体を含む。中央の空洞は、パッケージの半田・ボールが配列される面と同じ側にダイの搭載を許容する。ダイが半田・ボールと同一の側に設けられているので、ダイを半田・ボールと接続するために1組のリードのみが必要となり、かくして、従来の2層の金属を必要とするボール・グリッド・アレイ・パッケージに比較して、パッケージ内に一層の導電材料層のみを必要とする。これに加えて、一層の金属層のみが必要であるから、本発明は電気的な導電経路の使用なしで動作させることができる。前記ダイは前記パッケージ上に位置するボンディング領域に配線経路で接続される。ボンディング領域の各々は実質的に同一平面にあり、それぞれのボンディング領域は、前記中心の空洞の1つの端縁から異なる距離に位置させられ、千鳥配列を形成する。千鳥配列によるボンディング領域の配列の利点は、隣接するボンディング配線の間の空間を保持することができることであり、ボンディング・ワイヤのファンアウトを避けることにより、前記パッケージにおける多重のボンディング領域を避けることができる。

請求項（抜粋）：

第1の表面と前記第1の表面の反対の面の実質的に平面な第2の表面を持っている本体(204,204a,204b)と; 第3の表面と前記第3の表面の反対の面に第4の表面を持っており、前記第3の表面は前記第1の表面に接着されており、前記基板の層は高温、高強度の可撓性誘電体材料である非導電性の基板(210)と; 導電性材料のパターンで前記第4の表面に接合させられており、前記材料のパターンは、複数の導電性のリード(506,506a)の複数組と前記リードに接続する最初のボンデイング領域(504,504a,504b,504c)の複数組を形成する導電性材料(212)パターンと; 複数の導電性ワイヤで、前記最初のボンデイング領域の各々を半導体のダイ(102)上の対応するボンディング・パッド(502)に接続している複数の導電性ワイヤ(208)と;を含むボール・グリッド・アレイ集積回路チップ・パッケージにおいて、前記本体は空洞の壁(205)および空洞の天井(207)を持っているくぼみを持ち、そこに前記半導体のダイ(102)が設けられ、前記中央の空洞は前記本体の第1の側に位置しており、前記最初の側は前記第1の表面を含み、そこにおいて、前記空洞の壁が前記第1の表面に複数の端縁を規定し;ここにおいて、前記リード(208)はそれぞれの前記最初のボンディング領域(504a,504b,504c)を、前記本体の前記第1の側の回りに分配配置されている外部接続ボンディング・パッドの複数の内の対応する1つの外部接続ボンディング・パッド(510)に接続し; 前記最初のボンデイング領域(504,504a,504b,504c)およびボンディング・パッド(510)は実質的に同一平面であり、前記領域の各々は、前記複数の端縁の1つに隣接して位置しており、ここにおいて、前記各領域の各々の最初のボンディング領域は千鳥配列を形成するために前記1つの端縁から異なった距離を保って位置させられている; ことを特徴とするボール・グリッド・アレイ集積回路チップ・パッケージ。

IPC (3件)：

H01L 21/60 301 , H01L 21/60 , H01L 23/12

FI (3件)：

H01L 21/60 301 N , H01L 21/60 301 A , H01L 23/12 L

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体素子用高多端子化パッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-310856 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
特開昭61-193474
半導体回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-218572 出願人：日本ケミコン株式会社

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