特許
J-GLOBAL ID：200903095836603032
極短紫外光の位相シフトマスクおよびその製造方法並びに半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-040731
公開番号（公開出願番号）：特開2004-096063
出願日： 2003年02月19日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】極短紫外光を反射する場合であっても、適切な屈折率と吸収係数の組み合わせを得ることで、現実に構成することのできる極短紫外光の位相シフトマスクを提供する。【解決手段】短紫外光を反射する反射多層膜基板11と、その反射多層膜基板11上に形成された第1領域12aおよび第2領域12bとを具備してなる位相シフトマスク10を構成するのにあたって、先ず、極短紫外光に対する任意の複素屈折率と膜の任意の膜厚とについて、当該複素屈折率および当該膜厚から得られる極短紫外光の反射光の位相および反射率を特定する。そして、その特定結果を基にして、第1領域12aでの極短紫外光の反射光と第2領域12bでの極短紫外光の反射光とで所定の位相差が生じるように、第1領域12aの形成膜および第2領域12bの形成膜における各膜厚および各複素屈折率を設定する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
極短紫外光を反射して被露光体上に所望パターンを転写するために用いられる極短紫外光の位相シフトマスクであって、
極短紫外光を反射する反射多層膜基板と、当該反射多層膜基板上に形成された第1領域および第2領域とを具備するとともに、
前記第1領域の形成膜および前記第2領域の形成膜における各膜厚および各複素屈折率が、前記第1領域での極短紫外光の反射光と前記第2領域での極短紫外光の反射光とで所定の位相差が生じるように設定されている
ことを特徴とする極短紫外光の位相シフトマスク。
IPC (4件)：
H01L21/027
, G03F1/08
, G03F1/16
, G03F7/20
H01L21/30 531M
, G03F1/08 A
, G03F1/16 A
, G03F7/20 521
2H095BA01
, 2H095BA10
, 2H095BB03
, 2H095BB35
, 5F046GD10
