特許

J-GLOBAL ID：200903095917796900

カーボンナノチューブ形成用基材及びその製造方法並びにカーボンナノチューブ

発明者： 酒井 朗 ,  中塚 理 ,  財満 鎭明 ,  種田 智 ,  小川 正毅
出願人/特許権者： 国立大学法人名古屋大学
代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-199338
公開番号（公開出願番号）：特開2007-015890
出願日： 2005年07月07日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：

【課題】基板材質の選択に幅を持たせつつ、その基板上に形成される触媒金属において、触媒能を有効に発揮し、かつ、特定の結晶方位に揃った結晶構造をもつように成長制御させることを可能とする。【解決手段】単結晶基材としてのSi基板1と、拡散バリア膜としてのAg膜2と、触媒金属層としてのCo層3とを備え、Co層3上にカーボンナノチューブを成長、形成させるカーボンナノチューブ形成用基材であって、Ag膜2は、Si基板1の結晶構造を反映しつつエピタキシャル成長することにより形成された特定の結晶方位に揃った結晶構造をもつとともに、カーボンナノチューブの成長温度においてSi基板1及びCo層3の双方と2相分離状態を保つものであり、かつ、Co層3は、Ag膜2の結晶構造を反映しつつエピタキシャル成長することにより形成された特定の結晶方位に揃った結晶構造をもっている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

単結晶基材と、該単結晶基材上に形成された拡散バリア膜と、該拡散バリア膜上に形成され、グラファイトの生成に対して触媒作用を有する触媒金属層とを備え、該触媒金属層を構成するナノ結晶粒上にカーボンナノチューブを成長、形成させるカーボンナノチューブ形成用基材であって、 前記拡散バリア膜は、前記単結晶基材の結晶構造を反映しつつエピタキシャル成長することにより形成された特定の結晶方位に揃った結晶構造をもつとともに、前記カーボンナノチューブの成長温度において前記単結晶基材及び前記触媒金属層の双方と2相分離状態を保つものであり、かつ、 前記触媒金属層は、前記拡散バリア膜の結晶構造を反映しつつエピタキシャル成長することにより形成された特定の結晶方位に揃った結晶構造をもっていることを特徴とするカーボンナノチューブ形成用基材。

IPC (2件)：

C01B 31/02 ,  B82B 1/00

FI (2件)：

C01B31/02 101F ,  B82B1/00

Fターム (8件)：

4G146AA11 ,  4G146BA11 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC29 ,  4G146BC33B ,  4G146BC37B ,  4G146BC44

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 単層カーボンナノチューブの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-097768   出願人：科学技術振興事業団, 日本電気株式会社