枚葉式CVD装置および枚葉式CVD方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田宮寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-092399
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274106
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】枚葉式CVDで基板に配線用金属膜を成膜するとき、大きい成膜速度と良好な埋込み特性を実現し、成膜効率と膜質を向上する。【解決手段】基板19に配線用銅膜を成膜する装置または方法であり、相対的に成膜速度が小さくかつ埋込み特性が良い第1成膜条件で成膜を行う第1CVDモジュール15と、相対的に成膜速度が大きくかつ埋込み特性が悪い第2成膜条件で成膜を行う第2CVDモジュール16を備える。配線用金属膜を成膜する1つのCVD成膜プロセスを、異なる2つの成膜条件に基づくサブプロセスで行う。これにより成膜効率を高めることと膜質を向上することの両方を達成する。

請求項（抜粋）：

基板に配線用金属膜を成膜する枚葉式CVD装置において、相対的に成膜速度が小さくかつ埋込み特性が良い第1成膜条件で成膜を行う第1CVDモジュールと、相対的に成膜速度が大きくかつ埋込み特性が悪い第2成膜条件で成膜を行う第2CVDモジュールを備えたこと特徴とする枚葉式CVD装置。

IPC (4件)：

H01L 21/285 , C23C 16/18 , C23C 16/52 , H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/285 C , C23C 16/18 , C23C 16/52 , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-259558 出願人：日本電気株式会社
銅配線製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-249266 出願人：日本真空技術株式会社
銅配線製造方法、及び銅配線
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-249268 出願人：日本真空技術株式会社

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