特許
J-GLOBAL ID：200903095973257532

電磁波検出器およびその製造方法

発明者：
和泉 良弘

和泉 良弘 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-358964
公開番号（公開出願番号）：特開2002-162474
出願日： 2000年11月27日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：
【要約】【課題】 電磁波の放射広がりに対して、歪みの小さい検出画像を得ることができる、可搬性、半導体膜との接合性のよい電磁波検出器を提供すること。【解決手段】 電磁波に感応して電荷を生成する半導体膜2と、半導体膜2内で生成された電荷を読み出すためのアクティブマトリクスアレイとを備えた電磁波検出器50において、前記アクティブマトリクスアレイが樹脂基板をベースに形成されている。
請求項（抜粋）：
電磁波に感応して電荷を生成する半導体膜と、前記半導体膜内で生成された電荷を読み出すためのアクティブマトリクスアレイとを備えた電磁波検出器において、前記アクティブマトリクスアレイが、樹脂基板をベースとして形成されていることを特徴とする電磁波検出器。
IPC (9件)：
G01T 1/24 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/09 ,  H01L 31/0264 ,  H01L 51/10 ,  H01L 31/08 ,  H04N 5/32 ,  H04N 5/335
FI (8件)：
G01T 1/24 ,  H04N 5/32 ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 K ,  H01L 27/14 C ,  H01L 31/00 A ,  H01L 31/08 L ,  H01L 31/08 T
Fターム (33件)：
2G088EE01 ,  2G088FF02 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ02 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118BA14 ,  4M118BA30 ,  4M118CA11 ,  4M118CA14 ,  4M118CA19 ,  4M118CB05 ,  4M118HA27 ,  5C024AX11 ,  5C024CX00 ,  5C024CY47 ,  5C024EX24 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31 ,  5F088AA11 ,  5F088AB01 ,  5F088AB11 ,  5F088BA20 ,  5F088BB03 ,  5F088BB07 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088GA02 ,  5F088LA07 ,  5F088LA08
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM