特許
J-GLOBAL ID：200903068126010140
高出力半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-177645
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007149
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 トランジスタセル上に形成されたボンディングパッドにAuワイヤをボンディングする際に、AlとAuとが合金化することによって層間膜がストレスを受けて損傷することを防止する。【解決手段】 n+ 型シリコン基板1上にn- 型エピタキシャル層2を形成し、その上にp型ソース層6を設ける。トレンチ3内にゲート酸化膜4とゲート電極5を形成しゲート電極の外周部にn+ 型ソース領域7を設ける。ゲート電極5上を層間膜8で覆った後、TiN/Ti層9とCu含有Al合金層であるAlSiCu層10とからなる電極層を形成する。【効果】 ボンディングパッドがCuを含有するAlにより形成されているため、ボンディング時にAlが合金化することが抑制され、層間膜8が損傷することが防止される。
請求項（抜粋）：
アクティブ素子の形成された領域上にボンディングパッドとなる電極層が直接形成されている高出力半導体装置において、前記電極層がCuを含有するAl合金層を主体として形成されていることを特徴とする高出力半導体装置。
Fターム (2件)：
引用特許：
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