特許
J-GLOBAL ID:200903095978738326

微細回路配線の形成方法並びにこれに用いるめっき液およびめっき装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小野 信夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-380831
公開番号(公開出願番号):特開2005-146292
出願日: 2003年11月11日
公開日(公表日): 2005年06月09日
要約:
【課題】 電気めっきによりEM耐性の高い回路配線を形成する手段を提供すること。【解決手段】 微細な回路パターンが設けられ、バリア層および必要によりシード層が形成された電子回路用基板上に、銅-りん合金めっきによるめっき層で回路を形成することを特徴とする微細回路配線の形成方法およびこの方法に使用する、硫酸銅、硫酸および塩素イオンを含有する硫酸銅めっき液に、りん化合物をりん元素として1×10-6ないし50重量%含有することを特徴とするりん元素ドープ銅めっき液。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
微細な回路パターンが設けられ、バリア層および必要によりシード層が形成された電子回路用基板上に、りん元素ドープ銅めっきによるめっき層で回路を形成することを特徴とする微細回路配線の形成方法。
IPC (9件):
C25D7/12 ,  C25D3/38 ,  C25D3/58 ,  C25D7/00 ,  C25D21/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H05K3/24
FI (10件):
C25D7/12 ,  C25D3/38 101 ,  C25D3/58 ,  C25D7/00 J ,  C25D21/12 C ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/288 E ,  H05K3/24 A ,  H01L21/88 B ,  H01L21/88 M
Fターム (71件):
4K023AA19 ,  4K023AB39 ,  4K023BA06 ,  4K023CA09 ,  4K023CB05 ,  4K023DA02 ,  4K024AA09 ,  4K024AA14 ,  4K024AB01 ,  4K024BA01 ,  4K024BA07 ,  4K024BA11 ,  4K024BB11 ,  4K024BB12 ,  4K024BC10 ,  4K024CA06 ,  4K024CA16 ,  4K024CB26 ,  4K024DA09 ,  4K024GA16 ,  4M104BB04 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB25 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB38 ,  4M104BB39 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD75 ,  4M104FF13 ,  4M104HH01 ,  5E343BB24 ,  5E343CC78 ,  5E343DD43 ,  5E343DD48 ,  5E343FF16 ,  5E343GG08 ,  5E343GG13 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH21 ,  5F033HH27 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033LL01 ,  5F033LL09 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ48 ,  5F033WW00 ,  5F033WW04 ,  5F033XX05
引用特許:
審査官引用 (6件)
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