特許

J-GLOBAL ID：200903095982862260

ウェーハの研削方法

発明者： 梶山 啓一 ,  増田 隆俊 ,  渡邊 真也 ,  青木 繁彦 ,  星川 裕俊 ,  小林 義和 ,  原田 晴司 ,  山本 節男
出願人/特許権者： 株式会社ディスコ
代理人 (2件)： 佐々木 功 ,  川村 恭子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-264172
公開番号（公開出願番号）：特開2009-094326
出願日： 2007年10月10日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：

【課題】ウェーハの裏面を研削しても、デバイスの抗折強度を低下させることなく、ゲッタリング効果を生じさせる。【解決手段】表面に複数のデバイスが形成されたウェーハの裏面を研削してゲッタリング効果により重金属の遊動を抑制すると共に抗折強度を1000MPa以上に維持する方法において、研削ホイールとして、基台の自由端部に粒径1μm以下のダイヤモンド砥粒がビトリファイドボンドで固定された研削砥石が固着されて構成されるものを使用し、ウェーハの表面に保護部材を貼着して保護部材をチャックテーブルにて保持し、チャックテーブルを回転させながら研削ホイールを回転させ、研削砥石によってウェーハの裏面を研削して裏面の面粗さの平均値を0.003μm以下とし、ウェーハの裏面に残存する歪み層の厚さを0.05μmとする。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

ウェーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウェーハを研削する回転可能な研削ホイールを有する研削手段とを備えた研削装置を用い、表面に複数のデバイスが形成されたウェーハの裏面を研削してゲッタリング効果により重金属の遊動を抑制すると共に抗折強度を略1000MPa以上に維持するウェーハの研削方法であって、 該研削ホイールは、基台の自由端部に粒径1μm以下のダイヤモンド砥粒がビトリファイドボンドで固定された研削砥石が固着されて構成され、 ウェーハの表面に保護部材を貼着し該保護部材を該チャックテーブルに対面させて保持し、 該チャックテーブルを回転させながら該研削ホイールを回転させ、該研削砥石によって該ウェーハの裏面を研削して該裏面の面粗さの平均値を0.003μm以下とし、 該ウェーハの裏面に残存する歪み層の厚さを0.05μmとする ウェーハの研削方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  B24B 7/22

FI (3件)：

H01L21/304 631 ,  H01L21/304 622R ,  B24B7/22 Z

Fターム (3件)：

3C043BB00 ,  3C043CC04 ,  3C043CC13

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ゲッタリング層を有する半導体チップとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-220319   出願人：株式会社ルネサステクノロジ

審査官引用 (4件)

• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-190444   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• ウエーハの加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-183824   出願人：株式会社ディスコ
• ウエーハの研削方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-015647   出願人：株式会社ディスコ
• 半導体装置の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-137416   出願人：日立化成工業株式会社