特許
J-GLOBAL ID：200903046944318750
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-190444
公開番号（公開出願番号）：特開2007-012810
出願日： 2005年06月29日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：
【課題】汚染不純物に起因する半導体製品の製造歩留まりの低下を抑えることのできる技術を提供する。【解決手段】半導体ウエハを薄膜化する際、その裏面に、例えば厚さ0.5μm未満、0.3μm未満または0.1μm未満の相対的に薄いゲッタリング機能を持つ破砕層が形成され、かつ、半導体ウエハを分割あるいはほぼ分割してチップ化した後の抗折強度が確保されるように、無数の気泡を有するビトリファイド接合剤B1によって、例えば粒度#5000から#20000のダイヤモンド砥粒を保持し、その無数の気泡内に粘性を有する合成樹脂B2を含浸したダイヤモンド砥石によって半導体ウエハの裏面を研削する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法;
(a)第1の厚さを有する半導体ウエハの第1の主面上に回路パターンを形成する工程;
(b)固定砥粒を有する第1研削材を用いて前記半導体ウエハの第2の主面を研削し、前記半導体ウエハを第2の厚さとする工程;
(c)前記第1研削材よりも粒径が小さい固定砥粒を有する第2研削材を用いて前記半導体ウエハの前記第2の主面を研削し、前記半導体ウエハを第3の厚さとし、前記半導体ウエハの前記第2の主面に破砕層を形成する工程;
(d)前記半導体ウエハをダイシングし、前記半導体ウエハをチップに個片化する工程を含み、
前記第2研削材は、無数の気泡を有する磁器質からなる結合剤で固定砥粒を保持した砥石であり、前記無数の気泡内に合成樹脂を含浸する。
IPC (4件)：
H01L 21/304
, H01L 21/301
, B24D 3/00
, B24D 3/18
H01L21/304 631
, H01L21/304 621C
, H01L21/78 Q
, B24D3/00 350
, B24D3/18
, B24D3/00 320B
3C063AA02
, 3C063AB05
, 3C063BB02
, 3C063BB07
, 3C063BC05
, 3C063BC09
, 3C063EE10
, 3C063FF30
出願人引用 (2件)
審査官引用 (11件)
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