特許
J-GLOBAL ID：200903095999929300
半導体基板の定量汚染試料の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-045444
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243798
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 再現性良く、高い定量性を有し、実際の製造プロセスにおける汚染形態を反映させた半導体基板の定量汚染試料の作製方法を提供することを目的としている。【解決手段】 半導体基板上を金属不純物により所定量汚染させる汚染処理を行う工程と、前記半導体基板上を汚染させた金属不純物に対して物理的・化学的処理を行う工程とを有する方法とする。前記汚染処理は、静置した半導体基板上に金属不純物を含む溶液を滴下し乾燥させる処理であることが望ましい。また、前記金属不純物を含む溶液は、揮発性アルコール類を含むことが望ましい。
請求項（抜粋）：
半導体基板上を金属不純物により所定量汚染させる汚染処理を行う工程と、前記半導体基板上を汚染させた金属不純物に対して物理的・化学的処理を行う工程とを有することを特徴とする半導体基板の定量汚染試料の作製方法。
Fターム (4件)：
4M106AA01
, 4M106CA29
, 4M106CB01
, 4M106DJ32
