特許
J-GLOBAL ID：200903096004558440
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-251886
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098011
出願日： 1996年09月24日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】 銅を主成分として含む配線層を使用するにあたって、微細プロセスに適した薄い膜厚(25nm以下)でより高いバリア性を有するバリア層を提供することを課題とする。【解決手段】 基体上にタンタル炭化物からなるアモルファス状のバリア層を介して銅を主成分とする配線層が形成されてなる構成により上記課題を解決する。
請求項（抜粋）：
基体上にタンタル炭化物からなるアモルファス状のバリア層を介して銅を主成分とする配線層が形成されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, C23C 14/06
, H01L 21/3205
H01L 21/28 301 R
, C23C 14/06 H
, H01L 21/88 M
