半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-358813
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191571
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：

【要約】【課題】熱応力等に対する金属配線の断線を防止する機能の高い高信頼性の半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップ10の主面上には、半導体チップ10の電極が配置された中央部を開口させた低弾性率層20が設けられている。そして、低弾性率層20の上に外部電極端子となるランド32が設けられ、ランド32とパッド30との間を接続する金属配線31が設けられている。ランド32の上には金属ボール40が設けられており、ランドの一部を開口させたソルダーレジスト50が形成されている。金属配線31は、低弾性率層20の上の狭幅部31Aと、低弾性率層20の端部付近から半導体チップ10の電極上のパッド30に至る広幅部31Bとを有している。この広幅部31Bで半導体装置の加熱・冷却に伴って発生する熱応力などの応力に抗する強度を補強し、金属配線の断線を防止する。

請求項（抜粋）：

表面上に電極が配置された半導体チップと、上記半導体チップの上に形成され、上記電極が配置されている領域に開口部を有する低弾性率の絶縁性材料からなる低弾性率層と、上記半導体チップ上の電極から上記低弾性率層の上に延び、上記低弾性率層の端部付近では上記低弾性率層の内方領域におけるよりも広幅に形成された金属配線と、上記金属配線に接続される外部電極端子とを備えている半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/3205 , H01L 23/12

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 21/88 T , H01L 23/12 L

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-066637 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社, 株式会社日立マイコンシステム
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-066638 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社, 株式会社日立マイコンシステム
特開2051-072143

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