特許
J-GLOBAL ID：200903096226883404

電界効果トランジスタ

発明者：
宇野沢 浩精

宇野沢 浩精 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-345123
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177079
出願日： 1997年12月15日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 ソース電極とチャネル層間の抵抗を低減し、最大ドレイン電流Imaxやトランスコンダクタンスgm等の素子特性に優れ、信頼性の高い電解効果トランジスタを提供する。【解決手段】 GaAs基板上に設けたGaAs又はInGaAsをチャネルとする電界効果トランジスタにおいて、GaAsに格子整合し、バンドギャップエネルギーがGaAsよりも大きいアンドープ又は低濃度n型ショットキ層をリセス内に選択成長し、該ショットキ層上にゲートが形成された構成にする。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に設けられたGaAs又はInGaAsをチャネルとする電界効果トランジスタにおいて、GaAsに格子整合し、バンドギャップエネルギーがGaAsよりも大きいアンドープ又は低濃度n型ショットキ層をリセス内に選択成長し、該ショットキ層上にゲートが形成されたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
引用特許：
審査官引用 (4件)
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