シリコン集積回路の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三俣弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-004786
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208526
出願日： 2000年01月13日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】ホットキャリア注入の部位に近接して重水素を導入するために、シリコンICの製造ステップの比較的初期段階で、シリコンウエハーを重水素アニール処理を行う方法を提供する。【解決手段】本発明の重水素アニールは、酸化物堆積のような通常の処理プロセスの間に実行することができる。本発明を用いることにより重水素は所望の層の中を含め構造体内いずれの場所にも導入することができる。重水素を導入するための製造プロセスの好ましい段階は、あらゆる過酷な熱処理の後であるが、相互接続層が形成する前におこなう。すなわち第1レベル間誘電体層を形成する前におこなうのがよい。

請求項（抜粋）：

(a)シリコンウェハー(11)の一部を露出しながらフィールド酸化物層(12)をその上に成長させるステップと、(b)前記露出部分(13)の上にゲート誘電体層(15)を成長させるステップと、(c)前記ゲート誘電体層(15)の上にポリシリコン層を堆積するステップと、(d)前記ポリシリコン層からシリコン製ゲート電極(17)を形成するステップと、(e)前記ウェハー内にソースとドレイン用の不純物(18、19)を注入するステップと、(f)前記ソースとドレイン用の不純物(18、19)をアニールするステップと、(g)前記シリコン製ゲート電極(17)の上にレベル間誘電体層(21)を堆積するステップと、(h)前記レベル間誘電体層(21)の上に金属製相互接続層を堆積し、パターン化するステップと、を有し、前記ウェハーは、ステップ(c)(f)(g)からなるグループから選択された1つのステップで重水素雰囲気中で加熱されることを特徴とするシリコン集積回路の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/324 , H01L 21/316 , H01L 21/322 , H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 21/324 Z , H01L 21/316 P , H01L 21/322 Z , H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 N

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭55-050664
薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-358961 出願人：松下電器産業株式会社
半導体記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-246434 出願人：株式会社東芝

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