セラミックス二層回路基板

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-097752
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286100
出願日： 2004年03月30日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】高信頼性が求められるパワーモジュールの、小型化、高集積化を図る。【解決手段】セラミックス回路基板の回路面側に絶縁層を介して金属回路パターンが形成されてなるセラミックス二層回路基板。セラミックス基板が、窒化アルミニウム基板又は窒化ケイ素基板である該セラミックス二層回路基板。絶縁層が、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、ダイアモンド、酸化ベリリウム、窒化アルミニウムから選ばれる1種以上の無機物、並びに、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、BTレジン、ポリイミド樹脂より選ばれる樹脂を含むことを特徴とする該セラミックス二層回路基板。絶縁層のボイド率が20%以下である該セラミックス二層回路基板。金属回路パターンの厚みが0.05〜0.3mmである該セラミックス二層回路基板。金属回路パターンの沿面と絶縁層端部沿面の距離が0.5mm以上である該セラミックス二層回路基板。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

セラミックス回路基板の回路面側に絶縁層を介して金属回路パターンが形成されてなるセラミックス二層回路基板。

IPC (2件)：

H05K3/46 , H01L23/13

FI (3件)：

H05K3/46 H , H05K3/46 T , H01L23/12 C

Fターム (16件)：

5E346AA02 , 5E346AA12 , 5E346AA15 , 5E346CC16 , 5E346CC32 , 5E346DD03 , 5E346DD12 , 5E346DD32 , 5E346EE01 , 5E346EE13 , 5E346GG19 , 5E346GG22 , 5E346GG23 , 5E346GG28 , 5E346HH22 , 5E346HH23

引用特許：

審査官引用 (14件)

多層配線基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-153830 出願人：京セラ株式会社
特開昭62-256648
特開平4-196383

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