特許
J-GLOBAL ID:200903096278210866
オーバーレイ精度とパターン配置誤差とを同時に測定する方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
鈴木 正剛
, 佐野 良太
, 村松 義人
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-533356
公開番号(公開出願番号):特表2009-510770
出願日: 2006年08月23日
公開日(公表日): 2009年03月12日
要約:
本発明は、単一の測定構造(200)からオーバーレイ誤差とパターン配置誤差情報とを取得する技術を提供する。これは、単一の測定構造(221、241)において少なくとも2つの異なるデバイス層に周期的サブ構造(210、220、240、250)を形成することで実現される。ここでは、少なくとも1つのセグメント化された部位(200)と非セグメント化部位(211、251)とは2つの異なるデバイス層に供給される。
請求項(抜粋):
第1周期的サブ構造(210)と第2周期的サブ構造(220)とを備えるとともに、基板上に形成された特定の計測サイトの第1デバイス層に形成された第1周期的構造(230)を有し、この第1周期的構造(230)の前記第1および第2周期的構造は、それぞれ複数の第1構造素子(211、221)を含み、前記第1構造素子のいくつかは第1のセグメント化された部位を含むものであり、
第1周期的サブ構造(240)と第2周期的サブ構造(250)とを備えるとともに、前記第1デバイス層の上方に配置された第2デバイス層に形成された第2周期的構造(260)を有し、この第2周期的構造(260)の前記第1および第2サブ構造は、それぞれ複数の第2構造素子(241、251)を含み、前記第2構造素子のいくつかは第2のセグメント化された部位を含むものであり、前記第1および第2周期的構造(230、260)は、前記特定の測定サイトに周期的スタック構造を形成する、オーバーレイ測定構造。
IPC (2件):
FI (4件):
H01L21/30 525W
, H01L21/30 522D
, H01L21/30 502V
, G03F9/00 A
Fターム (15件):
2H097KA03
, 2H097KA12
, 2H097KA13
, 2H097KA20
, 2H097KA22
, 2H097KA29
, 2H097LA10
, 5F046EA04
, 5F046EA07
, 5F046EA09
, 5F046EA10
, 5F046EB07
, 5F046ED01
, 5F046FA10
, 5F046FC04
引用特許:
前のページに戻る