特許

J-GLOBAL ID：200903096322371570

熱電変換材料およびそれを用いた熱電変換素子

発明者： 桜田 新哉 ,  首藤 直樹 ,  広納 慎介
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝マテリアル株式会社
代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎 ,  外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-108063
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294566
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：

【課題】 本発明は、熱電変換特性の高い熱電変換材料およびそれを用いた熱電変換素子を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、下記組成式(1)で表わされ、MgAgAs型結晶構造を有する相を主相とすることを特徴とする熱電変換材料を提供する。 ((Tia1Zrb1Hfc1)xNiySn100-x-y)1-pAp 組成式(1)(上記組成式(1)中、AはC,N,Oからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を表し、0 請求項（抜粋）：

下記組成式(1)で表わされ、MgAgAs型結晶構造を有する相を主相とすることを 特徴とする熱電変換材料。 ((Tia1Zrb1Hfc1)xNiySn100-x-y)1-pAp 組成式(1) (上記組成式(1)中、AはC,N,Oからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を 表し、0 IPC (3件)：

H01L35/14 ,  C22C30/00 ,  H01L35/34

FI (3件)：

H01L35/14 ,  C22C30/00 ,  H01L35/34

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 高周波装置およびその製造方法ならびにミリ波送受信器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-149245   出願人：京セラ株式会社
• 熱電変換素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-149707   出願人：松下電工株式会社
• ガスアトマイズ粉末を用いた熱電材料焼結体、およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-045348   出願人：株式会社超高温材料研究所
• 熱電材料およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-213419   出願人：旭化成株式会社
• 熱電変換材料および熱電変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-201294   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (5件)

• 高周波装置およびその製造方法ならびにミリ波送受信器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-149245   出願人：京セラ株式会社
• 熱電変換素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-149707   出願人：松下電工株式会社
• ガスアトマイズ粉末を用いた熱電材料焼結体、およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-045348   出願人：株式会社超高温材料研究所
• 熱電材料およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-213419   出願人：旭化成株式会社
• 熱電変換材料および熱電変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-201294   出願人：株式会社東芝

引用文献：

出願人引用 (13件)

• ハーフホイスラーTix(Zr0.5Hf0.5)1-xNiSnの熱電特性
• ハーフホイスラー合金Zr0.5Hf0.5NiSnの熱電特性に及ぼすTi置換効果
• Electronic structure of rare-earth nickel pnictides: Narrow-gap thermoelectric materials
• Electronic and Thermoelectric Properties of Half-Heusler Alloys
• Crystal structure and physical properties of (Ti,S
• THERMOELECTRIC PROPERTIES OF HALH-HEUSLER PHASE:ErNi1-xCuxSb,YNi1-xCuxSb AND ZrxHfyTizNiSn
• Bandgap Features and Thermoelectric Properties of Ti-Based Half-Heusler Alloys
• Thermoelectric Properties Of Bi-Doped Half-Heusler Alloys
• THERMOELECTRIC PROPERTIES OF Sb-DOPING IN THE TiNiSn1-xSbx HALF-HEUSLER SYSTEM
• Thermoelectric properties of semimetallic (Zr,Hf)CoSb half-Heusler phases
• Effect of Sb doping on the thermoelectric properties of Ti-based half-Heusler compounds,TiNiSn1-xSbx
• Effects of partial substitution of Ni by Pd on the thermoelectric properties of ZrNiSn-based
• Thermoelectric properties of ZrNiSn-based half-Heusler compounds by solid state reaction method

審査官引用 (13件)

• ハーフホイスラーTix(Zr0.5Hf0.5)1-xNiSnの熱電特性
• ハーフホイスラー合金Zr0.5Hf0.5NiSnの熱電特性に及ぼすTi置換効果
• Electronic structure of rare-earth nickel pnictides: Narrow-gap thermoelectric materials
• Electronic and Thermoelectric Properties of Half-Heusler Alloys
• Crystal structure and physical properties of (Ti,S
• THERMOELECTRIC PROPERTIES OF HALH-HEUSLER PHASE:ErNi1-xCuxSb,YNi1-xCuxSb AND ZrxHfyTizNiSn
• Bandgap Features and Thermoelectric Properties of Ti-Based Half-Heusler Alloys
• Thermoelectric Properties Of Bi-Doped Half-Heusler Alloys
• THERMOELECTRIC PROPERTIES OF Sb-DOPING IN THE TiNiSn1-xSbx HALF-HEUSLER SYSTEM
• Thermoelectric properties of semimetallic (Zr,Hf)CoSb half-Heusler phases
• Effect of Sb doping on the thermoelectric properties of Ti-based half-Heusler compounds,TiNiSn1-xSbx
• Effects of partial substitution of Ni by Pd on the thermoelectric properties of ZrNiSn-based
• Thermoelectric properties of ZrNiSn-based half-Heusler compounds by solid state reaction method