特許
J-GLOBAL ID:200903096368257284

スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド及びスピンバルブ型薄膜磁気素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 正武 (外8名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-019119
公開番号(公開出願番号):特開2000-215421
出願日: 1999年01月27日
公開日(公表日): 2000年08月04日
要約:
【要約】【課題】 アシンメトリー(Asymmetry)を小さくすることが可能なスピンバルブ型薄膜磁気素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 フリー磁性層44と、フリー磁性層44の厚さ方向両側に各々非磁性導電層43、48と固定磁性層49、42と反強磁性層50、41とが積層されてなる積層体を基板30上に備え、基板30から離れた側の第1固定磁性層49の磁化方向が、第1反強磁性層50により一方向に固定され、基板30に近い側の第2固定磁性層42の磁化方向が、第2反強磁性層41により第1固定磁性層49の磁化方向の反平行方向に固定され、第1、第2反強磁性層50、41は、Pt、Pd、Ir、Rh、Ru、Os、Au、Ag、Cr、Ni、Ne、Ar、Xe、Krのうちの少なくとも1種または2種以上の元素と、Mnとを含む合金からなることを特徴とするスピンバルブ型薄膜磁気素子1を採用する。
請求項(抜粋):
フリー磁性層と、前記フリー磁性層の厚さ方向両側に各々非磁性導電層と固定磁性層と反強磁性層とが積層されてなる積層体を基板上に備えると共に、前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向に対して交叉する方向に揃えるバイアス層と、前記フリー磁性層に検出電流を与える導電層とを備え、前記一対の固定磁性層のうち、前記基板から離れた側の第1固定磁性層の磁化方向が、隣接する第1反強磁性層により一方向に固定され、前記基板に近い側の第2固定磁性層の磁化方向が、隣接する第2反強磁性層により前記第1固定磁性層の磁化方向の反平行方向に固定され、前記第1、第2反強磁性層は、Pt、Pd、Ir、Rh、Ru、Os、Au、Ag、Cr、Ni、Ne、Ar、Xe、Krのうちの少なくとも1種または2種以上の元素と、Mnとを含む合金からなることを特徴とするスピンバルブ型薄膜磁気素子。
Fターム (3件):
5D034BA05 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07
引用特許:
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る