特許

J-GLOBAL ID：200903096377320630

研磨用工具プレート及びこれを用いた研磨方法

発明者： 谷 泰弘 ,  河田 研治 ,  榎本 俊之 ,  礪波 時夫 ,  戸川 千裕
出願人/特許権者： 谷 泰弘 ,  日本ミクロコーティング株式会社 ,  東芝セラミックス株式会社
代理人 (2件)： 波多野 久 ,  関口 俊三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-255222
公開番号（公開出願番号）：特開2004-025424
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】加工能率が向上し、被研磨体の研磨面の高平坦化が図れ、かつ、スクラッチが入るおそれがない研磨が実現でき、さらに、長寿命の研磨用工具プレート及びこれを用いた研磨方法を提供するものである。【解決手段】母粒子とその表面に保持される微細砥粒とからなる研磨剤を用いた研磨方法に使用される研磨用工具プレートであって、この工具プレート1はその加工面2が算術平均粗さ(Ra)で0.5〜15μmの表面粗さとなる不連続性凹凸面である研磨用工具プレート、また、これを用いた研磨方法である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

母粒子とその表面に保持される微細砥粒とからなる研磨剤を用いる研磨用工具プレートにおいて、前記工具プレートの加工面が算術平均粗さ(Ra)で0.5〜15μmの表面粗さであり、かつ、加工面の粗さの凹凸の平均間隔(Sm)が50〜1000μmである不連続性凹凸面であることを特徴とする研磨用工具プレート。

IPC (4件)：

B24B37/04 ,  B24B37/00 ,  B24B57/02 ,  H01L21/304

FI (5件)：

B24B37/04 A ,  B24B37/00 H ,  B24B57/02 ,  H01L21/304 622B ,  H01L21/304 622F

Fターム (8件)：

3C047FF08 ,  3C047GG15 ,  3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AC04 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 研磨剤及び製造方法並びに研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-120398   出願人：谷泰弘, 日本ミクロコーティング株式会社
• 研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-131717   出願人：京セラ株式会社
• ウェハ研磨装置用テーブル、半導体ウェハの研磨方法、半導体ウェハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-082306   出願人：イビデン株式会社