ウェハ研磨装置用テーブル、半導体ウェハの研磨方法、半導体ウェハの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-082306
公開番号（公開出願番号）：特開2001-260010
出願日： 2000年03月23日
公開日（公表日）： 2001年09月25日
要約：

【要約】【課題】 CMPを行った場合でも効率よく研磨を行うことができかつ好適な研磨状態が得られ、しかも耐薬品性及び耐磨耗性に優れたウェハ研磨装置用テーブルを提供すること。【解決手段】このテーブル2はウェハ研磨装置1を構成する部品の1つである。テーブル2は炭化珪素基材製であって、その上部に研磨面2aを有する。研磨面2aには窪み21が形成されている。そして、研磨面2aには、ウェハ保持プレート6の保持面6aに保持されている半導体ウェハ5が直接摺接される。

請求項（抜粋）：

ウェハ研磨装置を構成しているウェハ保持プレートの保持面に保持されている半導体ウェハが摺接される研磨面をその上部に有する、セラミック基材製のテーブルにおいて、前記セラミック基材は炭化珪素焼結体製基材であり、前記基材の上部にある前記研磨面には窪みが形成されていることを特徴とするウェハ研磨装置用テーブル。

IPC (3件)：

B24B 37/04 , B24B 1/00 , H01L 21/304 622

FI (3件)：

B24B 37/04 A , B24B 1/00 A , H01L 21/304 622 F

Fターム (12件)：

3C049AA07 , 3C049AA09 , 3C049BC02 , 3C049CA01 , 3C049CB01 , 3C049CB03 , 3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C058DA12 , 3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体デバイス表面の平坦化研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-141444 出願人：スピードファム株式会社
特開平2-232157
特開平2-232157

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