特許
J-GLOBAL ID：200903096405796930

電子装置の製造方法

発明者：
高桑 敦司

高桑 敦司 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-058381
公開番号（公開出願番号）：特開2008-226878
出願日： 2007年03月08日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：
【課題】簡単なプロセスで、かつデバイスへのダメージも少なく、微細化されたパターンの形状および膜厚を高精度に制御できる電子装置の製造方法を提供する。【解決手段】電子装置の製造方法は、凹凸の形状が設けられた版と仮基板を、インク30を介して貼り合わせる工程と、版を剥離し、インクに凹凸の形状を設けてインク層を形成する工程と、インクの凸部と基板50を貼り合わせる工程と、仮基板を剥離し、インク層を基板に転写する工程と、を含む。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
凹凸の形状が設けられた版と仮基板を、インクを介して貼り合わせる工程と、 前記版を剥離し、前記インクに凹凸の形状を設けてインク層を形成する工程と、 前記インク層の凸部と基板を貼り合わせる工程と、 前記仮基板を剥離し、前記インク層を前記基板に転写する工程と、 を含む、電子装置の製造方法。
IPC (6件)：
H05K 3/20 ,  H01L 21/288 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/320
FI (7件)：
H05K3/20 A ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 617J ,  H01L21/88 B
Fターム (36件)：
4M104AA09 ,  4M104BB04 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD31 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5E343AA23 ,  5E343BB72 ,  5E343DD56 ,  5E343ER33 ,  5E343FF08 ,  5E343GG08 ,  5E343GG11 ,  5F033HH00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033PP00 ,  5F033QQ00 ,  5F033XX03 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)
  • 薄膜トランジスタの製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-150690   出願人：凸版印刷株式会社
  • 薄膜半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-321946   出願人：株式会社クリスタージュ, 元太科技工業股ふん有限公司
  • 微細パターンの製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-272345   出願人：松下電器産業株式会社

前のページに戻る

TOP

BOTTOM