特許
J-GLOBAL ID：200903096439904901

半導体製造装置のクリーニング方法

発明者：
河内 昭人

河内 昭人 について

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斉藤 剛

斉藤 剛 について

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石村 裕昭

石村 裕昭 について

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石原 益法

石原 益法 について

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山本 直広

山本 直広 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-287250
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100705
出願日： 2004年09月30日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】 半導体製造装置において、ウェハホルダを保護しながらクリーニング効果の向上を図る。【解決手段】 処理チャンバと、処理チャンバ内に設けた基板ホルダ8と、高周波電源9と、処理ガス供給手段と、処理チャンバ内部のプラズマ発光の波長毎の発光強度を取得する分光器12と、自動制御手段とを設けた半導体製造装置であって、処理チャンバ内のクリーニング時に、基板ホルダ8上に、シリコンおよびアルミの元素を排除して構成されるイットリア、酸化イッテルビウム、酸化ランタン、酸化ルテシウム等の焼結体から構成されるカバーウェハ14を設置し、クリーニング中のプラズマ発光状態を分光器により検出し、分光器が検出したプラズマの各発光強度の微分値が0となった時点をクリーニングの終点とし、自動制御手段に設定された時間の間オーバークリーニングを施した後、高周波電源、流量制御手段に停止してクリーニングを終了する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体製造装置のプラズマクリーニング方法であって、前記半導体製造装置の処理チャンバに内設した基板ホルダ上にカバーウェハを設置し、基板ホルダ表面を保護してチャンバをクリーニングするプラズマクリーニング方法において、 シリコン、アルミの元素を排除して構成されるイットリア、酸化イッテルビウム、酸化ランタン、酸化ルテシウム等の焼結体から構成されるカバーウェハを用いたことを特徴とするプラズマクリーニング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L21/302 101H ,  H01L21/205
Fターム (13件)：
5F004AA15 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB15 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004CB09 ,  5F004EA21 ,  5F045AA08 ,  5F045BB15 ,  5F045EB06
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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