特許
J-GLOBAL ID：200903094899687493

半導体製造装置の洗浄方法、及び半導体装置の製造方法

発明者：
傳 博臣

傳 博臣 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-008305
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221397
出願日： 2003年01月16日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】基板支持電極からのF脱ガス、基板周辺の成膜温度低下を防止し、膜厚異常、エッチング加工不良、膜剥れなどのない半導体薄膜を形成可とする半導体製造装置の洗浄,及び製造方法を提供すること。【解決手段】(1)静電チャンバ108上にセラミックカバー110を密着させて配置して、フッ化物系洗浄ガスクリーニングを行なう際、セラミックカバー110と静電チャック108との間隙をチャンバー104内よりも陽圧になるように静電チャック108略中心から不活性ガス及び/又フッ素還元ガスを供給する。(2)次に、セラミックカバー110を静電チャック108表面を露出させてフッ素還元処理を行なう。(3)その後、静電チャック表面に、膜中にSiが過剰に含んだSiO膜を形成する。(4)基板のチャンバー104内搬入前の半導体薄膜形成待機時に、チャンバー内に水素ガス及び不活性ガスを用いてフッ素還元処理を行なう。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
反応炉内に設けられた基板支持電極上に基板を配置し、当該基板上に半導体薄膜を形成する半導体製造装置の洗浄方法であって、 前記基板支持電極上に、絶縁カバーを密着させて配置する工程と、 前記反応炉内にフッ化物系洗浄ガスを供給した後、前記反応炉内にプラズマを発生させる洗浄工程と、 を有することを特徴とする半導体製造装置の洗浄方法。
IPC (3件)：
H01L21/31 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065
FI (4件)：
H01L21/31 C ,  H01L21/304 645A ,  H01L21/304 645C ,  H01L21/302 101H
Fターム (28件)：
5F004AA15 ,  5F004BA20 ,  5F004BB22 ,  5F004BB32 ,  5F004BD04 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA17 ,  5F004DA22 ,  5F004DA24 ,  5F004DB03 ,  5F004EA21 ,  5F004EA28 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC02 ,  5F045AC12 ,  5F045AC17 ,  5F045BB01 ,  5F045EB06 ,  5F045EB11 ,  5F045EC01 ,  5F045EE17 ,  5F045EH11 ,  5F045EM05
引用特許：
審査官引用 (5件)
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