特許
J-GLOBAL ID：200903096483525446

窒化物半導体素子

発明者：
谷沢 公二

谷沢 公二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 豊栖 康弘 ,  石井 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-329250
公開番号（公開出願番号）：特開2005-057308
出願日： 2004年11月12日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
【課題】 多重量子井戸構造の活性層を用い、種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするため、発光出力の高い窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】 井戸層と障壁層との多重量子井戸からなる活性層のn層側にn型不純物としてSiをドープし、さらにそのドープする層を限定することで、n層側からのドナーの供給を補うことができ、発光出力の高い窒化物半導体素子が得られる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型窒化物半導体とp型窒化物半導体との間に、量子井戸からなりn型不純物を含む活性層を有する窒化物半導体素子において、前記活性層に含まれるn型不純物濃度はn層側の方がp層側よりも大きいことを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (3件)：
H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01S5/343
FI (3件)：
H01L33/00 C ,  H01L21/205 ,  H01S5/343 610
Fターム (33件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045CA11 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045EB15 ,  5F173AF03 ,  5F173AF13 ,  5F173AF18 ,  5F173AH22 ,  5F173AJ13 ,  5F173AJ15 ,  5F173AJ20 ,  5F173AP04 ,  5F173AP33 ,  5F173AR12
引用特許：
審査官引用 (9件)
  • 超格子構造体及び半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-071403   出願人：日本電気株式会社
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-333221   出願人：三菱化学株式会社
  • 発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-139509   出願人：ソニー株式会社
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引用文献：
審査官引用 (1件)
  • アドバンスト・エレクトロニクスI-21 III族窒化物半導体, 19991208, 初版, 260〜263ページ

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