特許

J-GLOBAL ID：200903011722558879

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 堂免 恵 ,  倉又 朗人 ,  窪田 晋一 ,  副島 玲子
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-126830
公開番号（公開出願番号）：特開2007-208300
出願日： 2007年05月11日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：

【課題】 半導体レーザ及びその製造方法に関し、ナイトライド系化合物半導体を用いた短波長半導体レーザのしきい値電流密度を低減する。【解決手段】 ナイトライド系化合物半導体を用いた半導体レーザの活性層のp側に設けるエレクトロンブロック層のMg濃度を7×1019cm-3以上とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ナイトライド系化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、活性層のp側に設けるエレクトロンブロック層のMg濃度を7×1019cm-3以上とすることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (1件)：

H01S 5/343

FI (1件)：

H01S5/343 610

Fターム (8件)：

5F173AA08 ,  5F173AG12 ,  5F173AG17 ,  5F173AH22 ,  5F173AH49 ,  5F173AJ04 ,  5F173AQ12 ,  5F173AR23

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 青色発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-114543   出願人：日亜化学工業株式会社
• 青色発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-114544   出願人：日亜化学工業株式会社
• 3族窒化物半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-227890   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所, 赤崎勇, 天野浩

審査官引用 (4件)

• 3族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-075327   出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
• 3-5族化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-040032   出願人：住友化学工業株式会社
• 化合物半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-098633   出願人：シャープ株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-230537   出願人：日亜化学工業株式会社