酸化物薄膜の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：西義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-046752
公開番号（公開出願番号）：特開2005-232574
出願日： 2004年02月23日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：

【課題】機能性薄膜を形成させるための有用な原料である含フッ素β-ジケトン金属錯体を用い、低温で気相化学反応法(CVD)による酸化物薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 CVD法によりZrまたはHfの酸化物薄膜を製造するに際し、金属重量換算で0.1〜50%のZrまたはHfの含フッ素β-ジケトン錯体を有機溶媒に溶解させた原料溶液を基板に噴霧するものであり、該含フッ素β-ジケトン錯体が、M(R1COCHCOR2)4で表される含フッ素β-ジケトン化合物錯体で(ただし、Mは、Zr、Hfを表し、R1、R2は、炭素数1〜8のアルキル基またはフッ素化アルキル基をそれぞれ表す。)、該有機溶媒が、アルコール類、エーテル類、ケトン類の少なくともひとつからなり、該基板の温度を20〜700°Cの範囲とし、また基板と噴霧するノズルとの間隔を5〜100mmの範囲とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

CVD法によりZrまたはHfの酸化物薄膜を製造するに際し、金属重量換算で0.1〜50%のZrまたはHfの含フッ素β-ジケトン錯体を有機溶媒に溶解させた原料溶液を基板に噴霧することを特徴とする酸化物薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

C23C16/40 , H01L21/316

FI (2件)：

C23C16/40 , H01L21/316 X

Fターム (24件)：

4K030AA09 , 4K030AA11 , 4K030AA16 , 4K030AA18 , 4K030BA10 , 4K030BA22 , 4K030BA42 , 4K030CA02 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030CA06 , 4K030CA07 , 4K030EA01 , 4K030EA06 , 4K030FA02 , 4K030JA10 , 4K030LA02 , 4K030LA05 , 4K030LA15 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BF08 , 5F058BF27 , 5F058BG10

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-108595 出願人：日本電気株式会社
半導体集積回路装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-112159 出願人：株式会社日立製作所
高純度チタン錯体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-067441 出願人：日本酸素株式会社

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