特許
J-GLOBAL ID：200903096541632991
スタック半導体チップBGAパッケージ及びその製造方法
出願人/特許権者：
三星電子株式会社
三星電子株式会社 について
代理人 (5件)： 八田 幹雄 , 奈良 泰男 , 齋藤 悦子 , 宇谷 勝幸 , 藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-211949
公開番号（公開出願番号）：特開2005-045251
出願日： 2004年07月20日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：
【課題】 スタック半導体チップBGAパッケージの製造方法を提供する。【解決手段】 基板上面エッジに形成されるソルダーボール150aを含んで半導体チップ220aをモールディングした後、グラインド工程を実施して半導体チップを薄く作り、ソルダーボールの一部を露出させる。そして、上部パッケージの基板下面にもソルダーボール280を形成して下部パッケージが露出されているソルダーボール150aに相互接触するように積層させる。そして、積層されている下部パッケージ及び上部パッケージに対してリフロー工程を実施することによって上部パッケージ及び下部パッケージを物理的に完全に連結させる。【選択図】 図12
請求項（抜粋）：
スタックパッケージにおいて、
前記スタックパッケージは第1半導体チップパッケージ及び前記第1パッケージの上部に積層されている第2半導体チップパッケージを含む2つ以上の半導体チップパッケージを含み、
前記第1半導体チップパッケージは、
上面及び下面を有する第1基板と、
回路が形成されている活性面と前記活性面の反対側面とを有し、前記活性面が前記第1基板の上面に向かうように前記第1基板の上面に搭載されている第1半導体チップと、
前記第1基板の上面に形成されて前記第1基板と電気的に連結される多数の内部ソルダーボールと、
前記第1基板の下面に形成されている多数の外部ソルダーボールと、を含み、
前記第1半導体チップと前記多数の内部ソルダーボールとは第1エポキシによってモールディングされており、そして、前記第1半導体チップの活性面の反対面と前記多数の内部ソルダーボールとはグラインドされて前記多数の内部ソルダーボールと前記第1半導体チップは高さが同じであり、前記多数の内部ソルダーボールは露出された接触部を有し、
前記第2半導体チップパッケージは、
上面及び下面を有する第2基板と、
回路が形成されている活性面と前記活性面の反対面とを有し、前記活性面が前記第2基板の上面に向かうように前記第2基板の上面に搭載されている第2半導体チップと、
前記第2基板の下面に形成されており、前記第1基板の多数の内部ソルダーボールと電気的に連結される多数の外部ソルダーボールと、
前記第2半導体チップを封止する第2エポキシと、を含むスタックパッケージ。
IPC (4件)：
FI (2件)：
引用特許：
出願人引用 (4件)
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韓国特許公開第2001-0056937号公報
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米国公開特許第2002-0066952号公報
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米国公開特許第2003-0042564号公報
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