特許
J-GLOBAL ID：200903096636144919
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-151832
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347489
出願日： 2002年05月27日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】 フリップチップ方式でサブストレートに半導体素子を搭載しパッケージ化するにあたり、効率よく半導体素子より発生する熱を放散させる方法を提供する。【解決手段】 金属製の放熱板を接着剤により半導体素子又は封止樹脂に固定する半導体装置において、前記接着剤層中に接着剤層を貫通する金属製の柱状構造物が存在し、放熱板固定時に前記柱状構造物が半導体素子又は封止樹脂と接触する半導体装置の製造方法であり、好ましくは前記柱状構造物が予めダイキャスト法、エッチング法、又はメッキ法のいずれかの方法により形成される。
請求項（抜粋）：
金属製の放熱板を接着剤により半導体素子又は封止樹脂に固定する半導体装置において、前記接着剤層中に接着剤層を貫通する金属製の柱状構造物が存在し、放熱板固定時に前記柱状構造物が半導体素子又は封止樹脂と接触することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 23/36
, H01L 23/373
, H01L 23/40
H01L 23/40 F
, H01L 23/36 Z
, H01L 23/36 M
5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BB01
, 5F036BC05
, 5F036BD22
