薄膜トランジスタ、表示装置及びそれらの作製方法、並びにテレビジョン装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-154536
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013480
出願日： 2005年05月26日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：

【課題】本発明は、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等の構成物を、密着性よく形成できる技術を提供することも目的とする。【解決手段】本発明は、薄膜トランジスタ又は表示装置などを構成する構成物を、それらの被形成物表面を形成する物質のうち、少なくとも一つと同じ物質を添加(混入)して形成することによって、構成物と被形成物との密着性を向上させる。また、構成物上に形成される絶縁層において、構成物表面に生じる凹凸形状を十分に被覆し、かつ絶縁層として信頼性に足るように緻密化できるように、絶縁層を有機材料を含む第1の絶縁層と、無機材料を含む第2の絶縁層とを積層して形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に、前記絶縁表面を形成する物質のうち、少なくとも一つと同じ物質を分散させた導電層を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/288 , H01L 51/50 , H01L 21/336 , H01L 21/320 , H01L 51/05

FI (8件)：

H01L29/78 617M , H01L21/288 Z , H05B33/14 A , H01L29/78 617U , H01L29/78 616V , H01L29/78 627A , H01L21/88 B , H01L29/28

Fターム (133件)：

3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007GA00 , 4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD51 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104DD81 , 4M104GG09 , 4M104GG20 , 4M104HH09 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH12 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH19 , 5F033HH33 , 5F033HH38 , 5F033JJ09 , 5F033JJ12 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ19 , 5F033JJ38 , 5F033KK04 , 5F033KK05 , 5F033LL01 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ73 , 5F033QQ82 , 5F033QQ83 , 5F033QQ99 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033WW01 , 5F033XX14 , 5F033XX33 , 5F033XX34 , 5F110AA16 , 5F110AA18 , 5F110AA28 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE27 , 5F110EE42 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK32 , 5F110HL01 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP24 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体層への不純物の導入方法、および薄膜トランジスタ並びに半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-052460 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-240758 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (5件)

特開平4-134788
特開昭52-129293
半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-232400 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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