特許
J-GLOBAL ID：200903096684670355
光電変換素子の製造方法および光電変換素子、光電池
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小栗 昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-081039
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280587
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】本発明の課題は、エネルギー変換効率が高く、低コストで製造が可能で使用可能な支持体の選択肢を増やした色素増感半導体型の光電変換素子および光電池を提供することである。【解決手段】多孔質半導体微粒子層と電荷輸送層および対極を含む積層構造からなり、該多孔質半導体微粒子層が、半導体微粒子と分散溶媒を除く添加剤の含量が分散液の1質量%以下の粒子分散液を塗布し加熱する工程によって製造されることを特徴とする光電変換素子の製造方法。
請求項（抜粋）：
多孔質半導体微粒子層と電荷輸送層および対極を含む積層構造からなり、該多孔質半導体微粒子層が、半導体微粒子と分散溶媒を除く添加剤の含量が分散液の1質量%以下の粒子分散液を塗布し加熱する工程によって製造されることを特徴とする光電変換素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
5F051AA14
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032BB02
, 5H032BB05
, 5H032CC11
, 5H032CC16
, 5H032EE02
, 5H032EE04
, 5H032HH04
, 5H032HH06
