特許
J-GLOBAL ID：200903096748041683

半導体装置のドライエッチング方法

発明者：
池上 尚克

池上 尚克 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-255867
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085389
出願日： 1999年09月09日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【目的】 低誘電率層間絶縁膜として表面改質された有機SOG膜を用いる際のビアホールのドライエッチングエッチング時に発生する、ボーイングと呼ばれる弓状の窪みが形成されないようにし、ビアホールの形状を安定させ、信頼性の高いビアホールの形成が可能となる。【構成】 表面改質された有機SOG膜上にTEOS酸化膜が積層して形成されて成る絶縁膜に、ビアホールをドライエッチングによって形成する時に、エッチングガスとしてCHF3/CH2F2/COの混合ガスを用いて、かつ、 CH2F2/( CHF3+CH2F2)の混合比を50%以上にすることによってビアホールのドライエッチングをおこなう。
請求項（抜粋）：
表面改質された有機SOG膜上にTEOS酸化膜が積層して形成されて成る絶縁膜に、CHF3、CH2F2及びCOの混合ガスによりコンタクトホールを形成する半導体装置のドライエッチング方法において、CH2F2の流量はCHF3+CH2F2の流量の50%以上であることを特徴とする半導体装置のドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/90 S
Fターム (27件)：
5F004AA16 ,  5F004BA08 ,  5F004BA13 ,  5F004BB11 ,  5F004BC03 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DB03 ,  5F004DB23 ,  5F004EB01 ,  5F033JJ19 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR25 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT04 ,  5F033WW06 ,  5F033XX00 ,  5F033XX24
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-168997   出願人：新日本製鐵株式会社
  • 窒化物エッチングプロセス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-011548   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド, インテル・コーポレーション
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-343290   出願人：松下電器産業株式会社

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