特許
J-GLOBAL ID：200903096757950548
量子ダッシュデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
飯塚 義仁
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-529818
公開番号（公開出願番号）：特表2004-525498
出願日： 2001年09月21日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
量子ドット活性領域の構造が開示される。好適な実施例では、ドットサイズ分布とドットの量子閉じ込め状態に関連した一連の光遷移エネルギ値が、拡張された波長範囲にわたる連続的な光ゲインスペクトルを形成することを容易にするように選定される。一実施例において、この量子ドットは、成長面に沿って少なくとも3の長さ対幅の比を持つ自己集合化(self-assembled)された量子ドットである。一実施例において、この量子ドットは、改良されたキャリア閉じ込め用の量子井戸内に形成される。別の実施例において、量子ドットは、チューニング可能なレーザ及びモノリシック・マルチ波長レーザアレイを含むレーザデバイスの活性領域として用いられる。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
光学的ゲインを提供するための半導体活性領域であって、
基板上に形成された量子井戸と、
該量子井戸内に埋め込まれた複数の量子ドットとを具備し、
前記量子ドットは、電流に応答する連続的な光学的ゲインスペクトルを形成するように選定された一連の量子閉じ込めエネルギ状態及びサイズ分布を持ち、
前記量子ドットは、関連する第1の光遷移エネルギ値を持つ基底状態と、関連する第2の光遷移エネルギ値を持つ第1の励起状態とを有し、前記第2の光遷移エネルギ値は前記第1の光遷移エネルギ値より30meV大きい値よりも大きくないことを特徴とする半導体活性領域。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/343
, H01L29/06 601D
5F073AA11
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA75
, 5F073AA83
, 5F073AA89
, 5F073CA15
, 5F073DA06
