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J-GLOBAL ID：200902109019645308   整理番号：98A0527441

GaAs(211)B上に成長したInAs量子ドットと量子ダッシュの光ルミネセンス研究

Photoluminescence Study of InAs Quantum Dots and Quantum Dashes Grown on GaAs(211)B.

著者 (5件)： GUO S (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHNO H (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SHEN A (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHNO Y (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MATSUKURA F (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 37  号： 3B  ページ： 1527-1531  発行年： 1998年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs(211)B基板上に分子ビームエピタクシーによってI...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (16件)：

• 1) D. Leonard, M. Krishnamurthy, S. Fafard, J. M. Merz and P. M. Petroff: J. Vac. Sci. & Technol. B <b>12</b> (1994) 1063
• 2) A. Madhukar, Q. Xie, P. Chen and A. Konkar: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 2727
• 3) F. Hatami et al.: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 656
• 4) S. Fafard, Z. Wasilewski, J. McCafrey, S. Raymond and S. Charbonneau: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 991
• 5) R. Nötzel, J. Temmyo, A. Kozen and T. Tamamura: Nature 369 (1994) 131.

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  成長 ,  InAs量子ドット ,  量子ダッシュ ,  光ルミネセンス ,  研究