特許
J-GLOBAL ID：200903096833158883
レジスト材料、レジストパターンおよび製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-040301
公開番号（公開出願番号）：特開平11-237742
出願日： 1998年02月23日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：
【要約】【課題】化学増幅ネガ型レジストにおいて、疎密による寸法差の抑制と側壁に凹凸の少ないレジスト形状を両立するレジストパターンを提供する。【解決手段】分子量が100〜1000であり、拡散長が10〜30nmの酸を発生する光酸発生剤に対し、分子量が100〜1000であり、拡散長が30〜50nmの酸を発生する光酸発生剤をモル比で5〜95%の割合で混合し、全光酸発生剤量が対樹脂重量パーセントで1〜5%であるレジスト材料。
請求項（抜粋）：
分子量が100〜1000であり、拡散長が10〜30nmの酸を発生するオニウム塩系光酸発生剤に対し、分子量が100〜1000であり、拡散長が30〜50nmの酸を発生するオニウム塩系光酸発生剤をモル比で5〜95%の割合で混合し、全光酸発生剤量が対樹脂重量パーセントで1〜15%であることを特徴とするレジスト材料。
IPC (3件)：
G03F 7/038 601
, G03F 7/004 503
, H01L 21/027
G03F 7/038 601
, G03F 7/004 503 A
, H01L 21/30 502 R
