特許
J-GLOBAL ID：200903015610327438
選択的プラズマエッチングのための方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤本 昇 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-508137
公開番号（公開出願番号）：特表2001-514447
出願日： 1998年08月25日
公開日（公表日）： 2001年09月11日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、誘電体材料を貫通するようにエッチングする操作の速さを低下することなく、高い選択性を達成するための改善された方法と装置を提供することを課題とする。【解決手段】 フォトレジスト層及び基盤層に対する誘電体層の選択性を改善する方法が開示される。該方法はプラズマ処理チャンバ内で行われ、フォトレジスト層は誘電体層の上方に被覆されている。該方法はエッチャントソースガスをプラズマ処理チャンバに導入する手順を備え、該ガスはCxFyガス及びN2ガスを基本的に備える。本方法は、さらにエッチャントソースガスからプラズマを発生させる手順を備える。本方法はさらに、該プラズマを用いて、誘電体層の下層に位置する基盤層に向けて貫通するように誘電体層の少なくとも一部をエッチングする手順を備える。本方法はSi、Si3N、TiN及び金属シリサイドに対する高度の選択性で酸化物層を異方的にエッチングするのにも好適である。
請求項（抜粋）：
プラズマ処理チャンバにおいて、ウエハの誘電体層の選択された部分を貫通するようにエッチングするエッチング方法であって、該方法が、CxFyガス及びN2ガスを基本的に含んでなるエッチャントソースガスを前記プラズマ処理チャンバ中に導入する手順と、前記プラズマ処理チャンバにおいて前記エッチャントソースガスからプラズマを発生させる手順と、前記プラズマを用いて、前記誘電体層を貫通するように少なくとも部分的にエッチングする手順とを備えることを特徴とするエッチング方法。
引用特許：
前のページに戻る
