特許
J-GLOBAL ID：200903096922705600

光検出半導体装置

発明者：
小荒井 満

小荒井 満 について

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杉田 哲郎

杉田 哲郎 について

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浅見 智之

浅見 智之 について

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老川 良平

老川 良平 について

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田部井 栄一

田部井 栄一 について

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三好 敬

三好 敬 について


出願人/特許権者：
パイオニア株式会社

パイオニア株式会社 について

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パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社

パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 について

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信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-028816
公開番号（公開出願番号）：特開2006-216824
出願日： 2005年02月04日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：
【課題】 短波長の光に対しても良好な感度を備えかつ長期の照射でも受光感度劣化が少ない光検出半導体装置を提供する。【解決手段】 光検出半導体装置は、受光面を有する受光素子を含む集積回路素子と、集積回路素子を封止する封止部とを備えた光検出半導体装置であって、封止部が有機変性型のシリコーン樹脂で形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
受光面を有する受光素子を含む集積回路素子と、前記集積回路素子を封止する封止部とを備えた光検出半導体装置であって、 前記封止部が有機変性型のシリコーン樹脂で形成されていることを特徴とする光検出半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 31/02 ,  C08G 77/50
FI (2件)：
H01L31/02 B ,  C08G77/50
Fターム (44件)：
4J246AA07 ,  4J246AA11 ,  4J246AB01 ,  4J246AB15 ,  4J246BA02X ,  4J246BA020 ,  4J246BB04X ,  4J246BB040 ,  4J246BB042 ,  4J246BB12X ,  4J246BB120 ,  4J246BB121 ,  4J246BB122 ,  4J246BB14X ,  4J246BB140 ,  4J246BB141 ,  4J246BB20X ,  4J246BB200 ,  4J246BB201 ,  4J246BB24X ,  4J246BB240 ,  4J246BB241 ,  4J246BB26X ,  4J246BB260 ,  4J246BB261 ,  4J246BB39X ,  4J246BB390 ,  4J246BB391 ,  4J246CA01U ,  4J246CA01X ,  4J246CA010 ,  4J246CA24X ,  4J246CA240 ,  4J246CA40X ,  4J246CA400 ,  4J246FA221 ,  4J246GC18 ,  4J246GC52 ,  4J246HA63 ,  5F088BA20 ,  5F088BB10 ,  5F088EA06 ,  5F088JA20 ,  5F088LA03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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