特許
J-GLOBAL ID：200903096925944320
集積回路レベル間絶縁構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-111615
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041382
出願日： 1997年04月28日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 比誘電率の小さい材料による絶縁構造。【解決手段】 金属レベル間誘電体が2種類の相異なる比誘電率の小さい絶縁体を用いる。1つは金属レベル内の隙間の充填用(140)であり、他方は金属レベル間用(150)である。好ましい実施例は、HSQ(140)を隙間充填用の比誘電率の小さい絶縁体として使うと共に、弗素化酸化シリコン(150)を金属レベル間の比誘電率の小さい絶縁体として含んでいる。
請求項（抜粋）：
多くとも約3.7の比誘電率を持つ第1の誘電体材料で作られた、第1の導体に隣接する第1の絶縁体領域と、前記第1の誘電体材料とは異なり、約3.7未満の比誘電率を持つ第2の誘電体材料で作られていて、前記第1の絶縁体領域及び前記第1の導体の上方並びに第2の導体の下方にある第2の絶縁体領域とを含む集積回路レベル間絶縁構造。
引用特許：
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