特許

J-GLOBAL ID：200903097017010440

半導体装置およびその作製方法

発明者： 中村 理 ,  藤本 悦子
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-087612
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274405
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の製造プロセス中に混入する重金属等の不純物元素はシリコンのキャリアのライフタイムを低下させ、またゲート酸化膜の絶縁破壊や、信頼性の不良を引き起こす。従ってこれらの重金属等の不純物元素を取り除く方法、すなわちゲッタリング技術が重要である。一方でゲッタリングにはスループットの点から、処理時間の短縮が求められる。ゲッタリングの効率を上げ、熱処理時間を短縮することを課題とする。【解決手段】チャネル形成領域に近接する半導体領域の結晶粒界をゲッタリングサイトに利用し、同時にイオン注入を用いたゲッタリングとの併用を行う。この方法により複数種の重金属等の不純物元素をゲッタリングされ、TFTのチャネル形成領域407とPN接合における空乏層領域は効率的にゲッタリングされる。

請求項（抜粋）：

半導体層にチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域の外側に、第1の不純物領域と、前記第1の不純物領域の外側に第2の不純物領域とを有し、前記第1の不純物領域は一導電型を付与する不純物元素を前記第1の濃度で含み、前記第2の不純物領域は前記一導電型と同型を付与する不純物元素を前記第2の濃度で含み、前記第2の濃度は前記第1の濃度よりも高いことを特徴とし、前記第2の不純物領域の表面における結晶粒径が、前記チャネル形成領域の表面における結晶粒径よりも小さいことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/322

FI (10件)：

H01L 21/322 J ,  H01L 21/322 G ,  H01L 21/322 E ,  H01L 21/322 M ,  H01L 21/322 S ,  H01L 29/78 627 Z ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (94件)：

2H092GA59 ,  2H092HA28 ,  2H092JA25 ,  2H092JA33 ,  2H092JA39 ,  2H092JA43 ,  2H092JA44 ,  2H092JB33 ,  2H092JB51 ,  2H092JB58 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092PA02 ,  2H092PA03 ,  2H092PA06 ,  2H092PA08 ,  2H092PA09 ,  5F110AA14 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG51 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ07 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110HM07 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-053096   出願人：三洋電機株式会社
• 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-157652   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-062917   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社