半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者： ,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-062917
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250957
出願日： 2000年03月08日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】高性能なデバイスを得るためには重金属等の不純物元素を取り除く方法、すなわちゲッタリング技術が非常に重要である。一方でゲッタリングにはスループットの点から、処理時間の短縮が求められる。ゲッタリングの効率を上げ、熱処理時間を短縮することを課題とする。【解決手段】多結晶質半導体層におけるリッジに重金属等の不純物元素が偏析することが分かった。上記問題点を解決するために、このリッジを積極的に利用し、ゲッタリングサイトを形成することにより近接ゲッタリングを行う。さらにイオンドーピングを用いたゲッタリングサイトと併用することで、TFTのチャネル形成領域および、PN接合における空乏層領域から重金属等の不純物元素を取り除くことができ、ゲッタリング能力、ゲッタリング効率を高めることができる。

請求項（抜粋）：

半導体層にチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域の外側に形成された半導体領域とを有し、前記半導体領域の表面における凸凹の平均高低差が、前記チャネル形成領域の表面における凸凹の平均高低差よりも大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , H01L 21/322 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/322 M , H01L 29/78 618 C , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 618 G , H01L 29/78 627 Z

Fターム (74件)：

2H092GA59 , 2H092JA25 , 2H092JA29 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JB57 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA08 , 2H092MA17 , 2H092MA27 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA13 , 2H092NA29 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG51 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ02 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HM14 , 5F110HM15 , 5F110HM20 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110PP33 , 5F110PP34 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (14件)

薄膜の加工方法、容量素子の製造方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-054187 出願人：松下電器産業株式会社
特開平4-306843
特開昭63-038235

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